Sic Substrat
Silisiumkarbid (SiC)-substrater er laget av et veldig rent materiale som kombinerer silisium og karbon. Produksjonsprosessen starter med en høytemperaturteknikk kalt Physical Vapor Transport (PVT). I denne prosessen blir silisium og karbonpulver til damp og kjøles deretter ned for å danne en stor krystall kalt en boule.
- Rask levering
- Kvalitetssikring
- 24/7 kundeservice
produkt introduksjon
produkt introduksjon
Silisiumkarbid (SiC)-substrater er laget av et veldig rent materiale som kombinerer silisium og karbon. Produksjonsprosessen starter med en høytemperaturteknikk kalt Physical Vapor Transport (PVT). I denne prosessen blir silisium og karbonpulver til damp og kjøles deretter ned for å danne en stor krystall kalt en boule.
Bollen kuttes deretter i tynne skiver kjent som wafere og poleres for å gjøre dem glatte og reflekterende. Denne nøye produksjonen sikrer at hvert SiC-substrat tåler høye temperaturer, leder elektrisitet godt og er veldig sterkt. Disse funksjonene er ideelle for bruk i elektronikk som trenger å yte under tøffe forhold, som i kraftenheter, sensorer som opererer ved høye temperaturer og systemer som brukes i tøffe miljøer. Silisiumkarbidsubstrater bidrar til å gjøre elektroniske enheter mer effektive, holdbare og kraftige.
FAQ
Populære tags: sic substrat, Kina sic substrat produsenter, leverandører, fabrikk
nei
