Hjem / Produkter / Silisium produkter / Silisium ingot / Innhold

Produkter

Monokrystallinsk silisiumblokk

Vår monokrystallinske silisiumblokk er produsert ved hjelp av avansert Czochralski (CZ) krystallvekstteknologi, som sikrer en enkelt, kontinuerlig krystallstruktur med presis orienteringskontroll.

Sende bookingforespørsel

Rask levering
Kvalitetssikring
24/7 kundeservice

produkt introduksjon

Teknisk spesifikasjon: Monokrystallinsk silisiumblokk

Produktoversikt

Den monokrystallinske silisiumblokken er produsert ved hjelp av-moderne--kunstCzochralski (CZ)krystallvekstteknologi, som sikrer et kontinuerlig enkelt-krystallgitter med høy-orienteringskontroll. Denne enhetligheten på atom--nivå forbedrer bærermobiliteten betydelig og minimerer rekombinasjonstap, noe som gjør den til det fremste substratet for høy-halvleder- og fotovoltaiske applikasjoner. Hver blokk er kjennetegnet ved eksepsjonell kjemisk renhet og minimal defekttetthet, og produseres under streng sanntidsprosessovervåking. Dens overlegne termiske stabilitet og maskineringsfasthet bidrar til høye wafer-utbytte og reduserte nedstrømskostnader på tvers av ulike produksjonslinjer, inkludert IC-wafere, strøm-MOSFET-er og høyeffektive solceller.

Kjerne tekniske fordeler

Avansert CZ-krystallvekst:Ved å bruke presisjons-kontrollerte trekkhastigheter og rotasjon oppnår vi én enkelt-krystallstruktur med nesten-null korngrenser, og maksimerer elektronisk ytelse.

Nøyaktig orienteringskontroll:Tilgjengelig i standard $<100>$ eller $<111>$ Miller-indekser med ultra-tette vinkeltoleranser, optimalisert for spesialisert epitaksial vekst og etsing.

Høy transportørmobilitet:Mangelen på krystallinske defekter sikrer en uhindret bane for ladebærere, noe som er avgjørende for høy-svitsjing og lav-effektkonvertering.

Skreddersydd-resistivitet og dopanter:Vi tilbyr svært tilpassbare resistivitetsområder via nøyaktig N-type (fosfor) eller P-type (bor/gallium) doping for å matche spesifikke enhetskrav.

Primære applikasjoner

Semiconductor Wafer Produksjon:Grunnlaget for 200 mm og 300 mm wafere brukt i logikk, minne og integrerte kretser med høy-tetthet.

Kraftenheter med høy-ytelse:Ideell for IGBT-er, super--MOSFET-er og høyspent-likerettere som krever ekstrem materialpålitelighet.

Premium fotovoltaiske celler:Det foretrukne substratet for N-type TOPCon- og HJT-celler som tar sikte på bransjens høyeste konverteringseffektivitet.