Silisiumwafer med lav-resistivitet

Teknisk hvitbok: Silisiumskiver med lav-resistivitet for kraft og jording

Materialvitenskapen om degenerert doping og ohmsk effektivitet

I kraftelektronikk og jordingsapplikasjoner er hovedmålet å minimereSeriemotstand. VårSilisiumskiver med lav-resistiviteter konstruert medHeavy Dopant Loading (Heavy Doping). Ved å introdusere høye konsentrasjoner av bor (P++), fosfor (N++) eller arsen (N++) under krystallvekstprosessen, presser viFermi nivåinn i valens- eller ledningsbåndene-en tilstand kjent somDegenerert doping. 

Utvikle enhetens base for høy-ledningsevne

Eksepsjonell ytelse for kraftelektronikk:Disse skivene fungerer som det primære substratet for vertikale kraft-MOSFET-er, IGBT-er og Schottky-dioder. Den lave bulk-resistiviteten reduserer "på-motstanden", som er avgjørende for å øke effektiviteten til kraftomformere og motordrev iElektriske kjøretøy (EV)og industriell automasjon.

Optimalisert jording og ESD-beskyttelse:Ved å utnytte sin høye ledningsevne, fungerer dette materialet som et idealJordingssubstrat. Den gir en lav-impedansbane for strøstrømmer og statisk utladning, noe som gjør den til en viktig komponent for Integrated Circuit (IC)-emballasje og høy-datalinjebeskyttelse derElektrostatisk utladning (ESD)skjerming er det viktigste.

Overlegen termisk styring for høy-strømtetthet:Den kraftige dopingen kompromitterer ikke den høye termiske ledningsevnen til silisiumgitteret nevneverdig. Faktisk reduserer den lave elektriske motstanden lokalisert Joule-oppvarming, slik at enhetene kan operere på høyere nivåStrømtettheteruten å nå termiske rømningsgrenser.

Skreddersydd for enhetsstrukturer med høy-ledningsevne:Hver wafer er nøyaktig-kuttet og polert for å sikre kompatibilitet med epitaksial vekst (EPI). Substratet med lav-resistivitet fungerer som en stabil plattform med høy-ledningsevne for å dyrke aktive lag med høy-renhet, og muliggjør fremstilling av kompleks, høy-ytelseElektroniske og fotoniske applikasjoner.

Strategiske applikasjoner

Strømstyrings-ICer og diskrete enheter:Bransjestandarden for-høyeffektive MOSFET-er, dioder og spenningsregulatorer.

Vertikal LED- og laserdiodefabrikasjon:Gir en bak-kontakt med lav-motstand for høy-lysutsendere, noe som forbedrer effektiviteten av vegg-plugg.

Jording og varmespredningssubstrater:Brukes som ledende bærere i avansert emballasje for å håndtere både elektrisk jording og termisk spredning.

MEMS og mikro-Fabrikasjon:Ideell for ledende strukturlag og elektroder i mikro-sensorer og aktuatorer.

Populære tags: lav-silisiumwafer med lav-resistivitet, produsenter, leverandører, fabrikk